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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBSV52LT1G
BSV52LT1G Image
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BSV52LT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
BSV52LT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-BSV52LT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
BSV52LT1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 450100

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Anzahl

Spezifikation

BSV52LT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - BSV52LT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - BSV52LT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 12 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Leistung - max 225 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 400MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 40 @ 10mA, 1V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer BSV52  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi BSV52LT1G.

Produkteigenschaften BSV52LT1G 2SA2011-TD-E 2N4033 JANTX2N6284
Artikelnummer BSV52LT1G 2SA2011-TD-E 2N4033 JANTX2N6284
Hersteller onsemi onsemi onsemi MACOM Technology Solutions
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA - 1 A 20 A
Frequenz - Übergang 400MHz - - -
Serie - * - Military, MIL-PRF-19500/504
Grundproduktnummer BSV52 - 2N403 -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - - -65°C ~ 200°C (TJ)
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) - - 1mA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA - 1V @ 100mA, 1A 3V @ 200mA, 20A
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 40 @ 10mA, 1V - 75 @ 100µA, 5V 1250 @ 10A, 3V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 12 V - 80 V 100 V
Transistor-Typ NPN - PNP NPN - Darlington
Befestigungsart Surface Mount - Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-204AA, TO-3
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) - TO-39 TO-204AA (TO-3)
Leistung - max 225 mW - 800 mW 175 W

BSV52LT1G Datenblatt PDF

Laden Sie BSV52LT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für BSV52LT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SOT23 16/Sep/2016.pdf Copper Wire 08/Jun/2009.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mold Compound 02/Apr/2020.pdf
Datenblätter
BSV52LT1.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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BSV52LT1G

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