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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSV236SPH6327XTSA1
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BSV236SPH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSV236SPH6327XTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSV236SPH6327XTSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
BSV236SPH6327XTSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 287690

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Anzahl

Spezifikation

BSV236SPH6327XTSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSV236SPH6327XTSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSV236SPH6327XTSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 8µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT363-PO  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 560mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-VSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 228 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Ta)  
Grundproduktnummer BSV236  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSV236SPH6327XTSA1.

Produkteigenschaften BSV236SPH6327XTSA1 BSV236SP L6327 IXTC13N50 FDD2612
Artikelnummer BSV236SPH6327XTSA1 BSV236SP L6327 IXTC13N50 FDD2612
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies IXYS onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 228 pF @ 15 V 228 pF @ 15 V 2800 pF @ 25 V 234 pF @ 100 V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Grundproduktnummer BSV236 - IXTC13 FDD261
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 500 V 200 V
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 ISOPLUS220™ TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 8µA 1.2V @ 8µA 4V @ 2.5mA 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V ±12V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 10V 10V
Verlustleistung (max) 560mW (Ta) 560mW (Ta) 140W (Tc) 42W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT363-PO PG-SOT363-PO ISOPLUS220™ TO-252AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 1.5A, 4.5V 175mOhm @ 1.5A, 4.5V 400mOhm @ 6.5A, 10V 720mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7 nC @ 4.5 V 5.7 nC @ 4.5 V 120 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Ta) 1.5A (Ta) 12A (Tc) 4.9A (Ta)
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ - PowerTrench®

BSV236SPH6327XTSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSV236SPH6327XTSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSV236SPH6327XTSA1 - Infineon Technologies herunter.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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