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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCPH3351-TL-H
CPH3351-TL-H Image
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CPH3351-TL-H - AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
CPH3351-TL-H
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-CPH3351-TL-H
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
CPH3351.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 63810

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Spezifikation

CPH3351-TL-H Tech -Spezifikationen
AMI Semiconductor / ON Semiconductor - CPH3351-TL-H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie AMI Semiconductor / ON Semiconductor - CPH3351-TL-H

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 3-CPH  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 1W (Ta)  
Verpackung Original-Reel®  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Andere Namen CPH3351-TL-HOSDKR  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)  
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 262pF @ 20V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
detaillierte Beschreibung P-Channel 60V 1.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 3-CPH  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.8A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie AMI Semiconductor / ON Semiconductor CPH3351-TL-H.

Produkteigenschaften CPH3351-TL-H CPH3360-TL-W CPH3351-TL-W CPH3340-TL-E
Artikelnummer CPH3351-TL-H CPH3360-TL-W CPH3351-TL-W CPH3340-TL-E
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Verlustleistung (max) 1W (Ta) 900mW (Ta) 1W (Ta) 1.2W (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V 2.2 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 16 nC @ 4 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 1A, 10V 303mOhm @ 800mA, 10V 250mOhm @ 1A, 10V 45mOhm @ 2.5A, 4V
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-96
FET-Merkmal - - - -
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.8A (Ta) 1.6A (Ta) 1.8A (Ta) 5A (Ta)
Serie - - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V -
Supplier Device-Gehäuse 3-CPH 3-CPH 3-CPH 3-CPH
Andere Namen CPH3351-TL-HOSDKR - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 30 V 60 V 20 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 262pF @ 20V 82 pF @ 10 V 262 pF @ 20 V 1875 pF @ 10 V
detaillierte Beschreibung P-Channel 60V 1.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 3-CPH - - -
Verpackung Original-Reel® - - -
VGS (th) (Max) @ Id - 2.6V @ 1mA 2.6V @ 1mA -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -

CPH3351-TL-H Datenblatt PDF

Laden Sie CPH3351-TL-H PDF -Datenblätter und AMI Semiconductor / ON Semiconductor -Dokumentation für CPH3351-TL-H - AMI Semiconductor / ON Semiconductor herunter.

Datenblätte
CPH3351.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
32D-CPH3351-TL-H

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