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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCPH3351-TL-W
CPH3351-TL-W Image
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CPH3351-TL-W - onsemi

Hersteller Artikelnummer
CPH3351-TL-W
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-CPH3351-TL-W
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 1.8A 3CPH
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
CPH3351-TL-W.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5480

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Spezifikation

CPH3351-TL-W Tech -Spezifikationen
onsemi - CPH3351-TL-W Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - CPH3351-TL-W

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 3-CPH  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 262 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.8A (Ta)  
Grundproduktnummer CPH3351  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi CPH3351-TL-W.

Produkteigenschaften CPH3351-TL-W CPH3360-TL-H CPH3362-TL-W CPH3341-TL-E
Artikelnummer CPH3351-TL-W CPH3360-TL-H CPH3362-TL-W CPH3341-TL-E
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Supplier Device-Gehäuse 3-CPH 3-CPH 3-CPH 3-CPH
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V 303mOhm @ 800mA, 10V 1.7Ohm @ 700mA, 10V 45mOhm @ 2.5A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V -
VGS (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA - 2.6V @ 1mA -
Grundproduktnummer CPH3351 CPH336 CPH3362 -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 1W (Ta) 900mW (Ta) 1W (Ta) 1.2W (Ta)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.8A (Ta) 1.6A (Ta) 700mA (Ta) 5A (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 262 pF @ 20 V 82 pF @ 10 V 142 pF @ 20 V 1115 pF @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-96
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V 2.2 nC @ 10 V 3.7 nC @ 10 V 21.8 nC @ 10 V
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 30 V 100 V 30 V

CPH3351-TL-W Datenblatt PDF

Laden Sie CPH3351-TL-W PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für CPH3351-TL-W - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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