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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTA114EM3T5G
DTA114EM3T5G Image
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DTA114EM3T5G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
DTA114EM3T5G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-DTA114EM3T5G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-723
Datenblatt
MUNx111, MMUN2111L, DTA114Exx, NSBA114EF3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 702050

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Spezifikation

DTA114EM3T5G Tech -Spezifikationen
onsemi - DTA114EM3T5G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - DTA114EM3T5G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SOT-723  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Leistung - max 260 mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-723  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTA114  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi DTA114EM3T5G.

Produkteigenschaften DTA114EM3T5G DTA114ESATP DTA114EKAT146 DTA114EMT2L
Artikelnummer DTA114EM3T5G DTA114ESATP DTA114EKAT146 DTA114EMT2L
Hersteller onsemi Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Leistung - max 260 mW 300 mW 200 mW 150 mW
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Serie - - - -
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 50 mA 50 mA 50 mA
Supplier Device-Gehäuse SOT-723 SPT SMT3 VMT3
Verpackung / Gehäuse SOT-723 SC-72 Formed Leads TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-723
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms
Grundproduktnummer DTA114 DTA114 DTA114 DTA114
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 10V 30 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V 20 @ 5mA, 5V
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA

DTA114EM3T5G Datenblatt PDF

Laden Sie DTA114EM3T5G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für DTA114EM3T5G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Copper Wire 19/May/2010.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Source Addition 26/Nov/2014.pdf
Datenblätter
MUNx111, MMUN2111L, DTA114Exx, NSBA114EF3.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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