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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTA114ESATP
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DTA114ESATP - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTA114ESATP
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTA114ESATP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-72 Formed Leads
Datenblatt
DTA114Ex(A).pdf
RoHS Status
vorrätig: 4140

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Anzahl

Spezifikation

DTA114ESATP Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTA114ESATP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTA114ESATP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SPT  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms  
Leistung - max 300 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-72 Formed Leads  
Paket Tape & Box (TB)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 50 mA  
Grundproduktnummer DTA114  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTA114ESATP.

Produkteigenschaften DTA114ESATP DTA114EM3T5G DTA114EU3HZGT106 DTA114EUA
Artikelnummer DTA114ESATP DTA114EM3T5G DTA114EU3HZGT106 DTA114EUA
Hersteller Rohm Semiconductor onsemi Rohm Semiconductor Yangjie Technology
Paket Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 50 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Verpackung / Gehäuse SC-72 Formed Leads SOT-723 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323
Supplier Device-Gehäuse SPT SOT-723 UMT3 SOT-323
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased + Diode
Grundproduktnummer DTA114 DTA114 DTA114 DTA114
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms -
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 300 mW 260 mW 200 mW 200 mW
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 5mA, 5V 35 @ 5mA, 10V 30 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V
Frequenz - Übergang 250 MHz - 250 MHz 250 MHz

DTA114ESATP Datenblatt PDF

Laden Sie DTA114ESATP PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für DTA114ESATP - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
DTA114Ex(A).pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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