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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTA124EET1G
DTA124EET1G Image
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DTA124EET1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
DTA124EET1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-DTA124EET1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-75, SOT-416
Datenblatt
MUNx112, MMUN2112L, DTA124Exx, NSBA124EF3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 726850

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Spezifikation

DTA124EET1G Tech -Spezifikationen
onsemi - DTA124EET1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - DTA124EET1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SC-75, SOT-416  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Leistung - max 200 mW  
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTA124  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi DTA124EET1G.

Produkteigenschaften DTA124EET1G DTA124ECA DTA124EETL DTA124EEBTL
Artikelnummer DTA124EET1G DTA124ECA DTA124EETL DTA124EEBTL
Hersteller onsemi Yangjie Technology Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500nA, 10mA
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22 kOhms 22 kOhms 22 kOhms 22 kOhms
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms 22 kOhms 22 kOhms 22 kOhms
Supplier Device-Gehäuse SC-75, SOT-416 SOT-23 EMT3 EMT3
Leistung - max 200 mW 200 mW 150 mW 150 mW
Serie - - - -
Grundproduktnummer DTA124 DTA124 DTA124 DTA124
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased + Diode PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 30 mA 30 mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 5mA, 10V 56 @ 10mA, 5V 56 @ 5mA, 5V 56 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA

DTA124EET1G Datenblatt PDF

Laden Sie DTA124EET1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für DTA124EET1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 06/Oct/2006.pdf Mult Dev Reinstate 18/Oct/2012.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Source Addition 26/Nov/2014.pdf
Datenblätter
MUNx112, MMUN2112L, DTA124Exx, NSBA124EF3.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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