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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTA124EKAT146
Rohm Semiconductor
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DTA124EKAT146 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTA124EKAT146
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTA124EKAT146
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SMT3 T146 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 916200

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Anzahl

Spezifikation

DTA124EKAT146 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTA124EKAT146 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTA124EKAT146

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 56 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 30 mA  
Grundproduktnummer DTA124  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTA124EKAT146.

Produkteigenschaften DTA124EKAT146 DTA124ESATP DTA124EET1G DTA124EETL
Artikelnummer DTA124EKAT146 DTA124ESATP DTA124EET1G DTA124EETL
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi Rohm Semiconductor
Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms 22 kOhms 22 kOhms 22 kOhms
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz - 250 MHz
Grundproduktnummer DTA124 DTA124 DTA124 DTA124
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Serie - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 30 mA 30 mA 100 mA 30 mA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Leistung - max 200 mW 300 mW 200 mW 150 mW
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-72 Formed Leads SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 56 @ 5mA, 5V 56 @ 5mA, 5V 60 @ 5mA, 10V 56 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse SMT3 SPT SC-75, SOT-416 EMT3
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22 kOhms 22 kOhms 22 kOhms 22 kOhms

DTA124EKAT146 Datenblatt PDF

Laden Sie DTA124EKAT146 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für DTA124EKAT146 - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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