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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC123EM3T5G
DTC123EM3T5G Image
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DTC123EM3T5G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
DTC123EM3T5G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-DTC123EM3T5G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-723
Datenblatt
MUN(2,5)231, MMUN2231L, DC123Exx.pdf
RoHS Status
vorrätig: 891200

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Anzahl

Spezifikation

DTC123EM3T5G Tech -Spezifikationen
onsemi - DTC123EM3T5G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - DTC123EM3T5G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SOT-723  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Leistung - max 260 mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-723  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 8 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTC123  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi DTC123EM3T5G.

Produkteigenschaften DTC123EM3T5G DTC123EKAT146 DTC123EETL DTC123JCA
Artikelnummer DTC123EM3T5G DTC123EKAT146 DTC123EETL DTC123JCA
Hersteller onsemi Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rectron USA
Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms 46.2 kOhms
Serie - - - -
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms
Verpackung / Gehäuse SOT-723 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-75, SOT-416 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Leistung - max 260 mW 200 mW 150 mW 200 mW
Grundproduktnummer DTC123 DTC123 DTC123 DTC123
Supplier Device-Gehäuse SOT-723 SMT3 EMT3 SOT-23
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 8 @ 5mA, 10V 20 @ 20mA, 5V 20 @ 20mA, 5V 80 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased

DTC123EM3T5G Datenblatt PDF

Laden Sie DTC123EM3T5G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für DTC123EM3T5G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Copper Wire 19/May/2010.pdf
Datenblätter
MUN(2,5)231, MMUN2231L, DC123Exx.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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