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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC123EKAT146
Rohm Semiconductor
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DTC123EKAT146 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTC123EKAT146
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTC123EKAT146
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SMT3 T146 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 572800

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Anzahl

Spezifikation

DTC123EKAT146 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTC123EKAT146 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTC123EKAT146

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 20mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTC123  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTC123EKAT146.

Produkteigenschaften DTC123EKAT146 DTC123EETL DTC123EUAT106 DTC123EM3T5G
Artikelnummer DTC123EKAT146 DTC123EETL DTC123EUAT106 DTC123EM3T5G
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi
Leistung - max 200 mW 150 mW 200 mW 260 mW
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-75, SOT-416 SC-70, SOT-323 SOT-723
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz -
Supplier Device-Gehäuse SMT3 EMT3 UMT3 SOT-723
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 250mV @ 5mA, 10mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 20mA, 5V 20 @ 20mA, 5V 20 @ 20mA, 5V 8 @ 5mA, 10V
Grundproduktnummer DTC123 DTC123 DTC123 DTC123
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA

DTC123EKAT146 Datenblatt PDF

Laden Sie DTC123EKAT146 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für DTC123EKAT146 - Rohm Semiconductor herunter.

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SMT3 T146 Taping Spec.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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