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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC123JET1
DTC123JET1 Image
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DTC123JET1 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
DTC123JET1
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-DTC123JET1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-75, SOT-416
Datenblatt
DTC114EET1,SDTC114EET1 Series.pdf
vorrätig: 4390

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Spezifikation

DTC123JET1 Tech -Spezifikationen
onsemi - DTC123JET1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - DTC123JET1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SC-75, SOT-416  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Leistung - max 200 mW  
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTC123  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi DTC123JET1.

Produkteigenschaften DTC123JET1 DTC123JKA DTC123JCA DTC123JEBTL
Artikelnummer DTC123JET1 DTC123JKA DTC123JCA DTC123JEBTL
Hersteller onsemi Rectron USA Rectron USA Rohm Semiconductor
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-89, SOT-490
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V 80 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms 46.2 kOhms 46.2 kOhms 47 kOhms
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Supplier Device-Gehäuse SC-75, SOT-416 SOT-23 SOT-23 EMT3F (SOT-416FL)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA
Grundproduktnummer DTC123 DTC123 DTC123 DTC123
Serie - - - -
Leistung - max 200 mW 200 mW 200 mW 150 mW
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms

DTC123JET1 Datenblatt PDF

Laden Sie DTC123JET1 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für DTC123JET1 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 30/Jun/2006.pdf
Datenblätter
DTC114EET1,SDTC114EET1 Series.pdf

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  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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