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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC123JET1G
DTC123JET1G Image
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DTC123JET1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
DTC123JET1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-DTC123JET1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-75, SOT-416
Datenblatt
MUN2235, MUN5235, DTC123Jxx, NSBC123JF3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1212000

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Anzahl

Spezifikation

DTC123JET1G Tech -Spezifikationen
onsemi - DTC123JET1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - DTC123JET1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SC-75, SOT-416  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Leistung - max 200 mW  
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTC123  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi DTC123JET1G.

Produkteigenschaften DTC123JET1G DTC123JETL DTC123EUAT106 DTC123JKAT146
Artikelnummer DTC123JET1G DTC123JETL DTC123EUAT106 DTC123JKAT146
Hersteller onsemi Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V 80 @ 10mA, 5V 20 @ 20mA, 5V 80 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416 SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Supplier Device-Gehäuse SC-75, SOT-416 EMT3 UMT3 SMT3
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms 47 kOhms 2.2 kOhms 47 kOhms
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer DTC123 DTC123 DTC123 DTC123
Serie - - - -
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Leistung - max 200 mW 150 mW 200 mW 200 mW
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA

DTC123JET1G Datenblatt PDF

Laden Sie DTC123JET1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für DTC123JET1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Copper Wire 29/Oct/2009.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Source Addition 26/Nov/2014.pdf
Datenblätter
MUN2235, MUN5235, DTC123Jxx, NSBC123JF3.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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