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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelECH8309-TL-H
ECH8309-TL-H Image
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ECH8309-TL-H - onsemi

Hersteller Artikelnummer
ECH8309-TL-H
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-ECH8309-TL-H
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8ECH
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
ECH8309.pdf
RoHS Status
vorrätig: 117940

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Anzahl

Spezifikation

ECH8309-TL-H Tech -Spezifikationen
onsemi - ECH8309-TL-H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - ECH8309-TL-H

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-ECH  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 4.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1780 pF @ 6 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.5A (Ta)  
Grundproduktnummer ECH8309  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi ECH8309-TL-H.

Produkteigenschaften ECH8309-TL-H ECH8304-TL-E ECH8308-P-TL-H ECH8308-TL-H
Artikelnummer ECH8309-TL-H ECH8304-TL-E ECH8308-P-TL-H ECH8308-TL-H
Hersteller onsemi Sanyo onsemi onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.5A (Ta) 9.5A (Ta) - 10A (Ta)
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1780 pF @ 6 V 3180 pF @ 6 V - 2300 pF @ 6 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V - 26 nC @ 4.5 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V 12 V - 12 V
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta) 1.6W (Ta) - 1.6W (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 8-ECH 8-ECH 8-ECH 8-ECH
Grundproduktnummer ECH8309 - ECH8308 ECH8308
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V - - 1.8V, 4.5V
FET-Merkmal - - - -
Serie - - - -
Typ FET P-Channel P-Channel - P-Channel
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Vgs (Max) ±10V - - ±10V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 4.5A, 4.5V 16mOhm @ 4.5A, 4.5V - 12.5mOhm @ 5A, 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)

ECH8309-TL-H Datenblatt PDF

Laden Sie ECH8309-TL-H PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für ECH8309-TL-H - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf
Datenblätter
ECH8309.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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