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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelECH8315-TL-H
ECH8315-TL-H Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ECH8315-TL-H - onsemi

Hersteller Artikelnummer
ECH8315-TL-H
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-ECH8315-TL-H
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8ECH
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
ECH8315.pdf
RoHS Status
vorrätig: 93540

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Anzahl

Spezifikation

ECH8315-TL-H Tech -Spezifikationen
onsemi - ECH8315-TL-H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - ECH8315-TL-H

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-ECH  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 875 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A (Ta)  
Grundproduktnummer ECH8315  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi ECH8315-TL-H.

Produkteigenschaften ECH8315-TL-H ECH8308-TL-H ECH8308-P-TL-H ECH8304-TL-E
Artikelnummer ECH8315-TL-H ECH8308-TL-H ECH8308-P-TL-H ECH8304-TL-E
Hersteller onsemi onsemi onsemi Sanyo
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 26 nC @ 4.5 V - 33 nC @ 4.5 V
Grundproduktnummer ECH8315 ECH8308 ECH8308 -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 875 pF @ 10 V 2300 pF @ 6 V - 3180 pF @ 6 V
Supplier Device-Gehäuse 8-ECH 8-ECH 8-ECH 8-ECH
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 12 V - 12 V
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta) 1.6W (Ta) - 1.6W (Ta)
Typ FET P-Channel P-Channel - P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 3.5A, 10V 12.5mOhm @ 5A, 4.5V - 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Vgs (Max) ±20V ±10V - -
Serie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A (Ta) 10A (Ta) - 9.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 1.8V, 4.5V - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
FET-Merkmal - - - -

ECH8315-TL-H Datenblatt PDF

Laden Sie ECH8315-TL-H PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für ECH8315-TL-H - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Transfer 12/Feb/2014.pdf
Datenblätter
ECH8315.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Copper Wire Update 03/Apr/2015.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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