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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysECH8663R-TL-H
ECH8663R-TL-H Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ECH8663R-TL-H - onsemi

Hersteller Artikelnummer
ECH8663R-TL-H
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-ECH8663R-TL-H
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8ECH
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
ECH8663R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 54010

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Anzahl

Spezifikation

ECH8663R-TL-H Tech -Spezifikationen
onsemi - ECH8663R-TL-H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - ECH8663R-TL-H

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-ECH  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5mOhm @ 4A, 4.5V  
Leistung - max 1.5W  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.3nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer ECH8663  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi ECH8663R-TL-H.

Produkteigenschaften ECH8663R-TL-H ECH8657-TL-H ECH8659-TL-H ECH8667-TL-H
Artikelnummer ECH8663R-TL-H ECH8657-TL-H ECH8659-TL-H ECH8667-TL-H
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A 4.5A 7A 5.5A
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 35V 30V 30V
Grundproduktnummer ECH8663 ECH8657 ECH8659 ECH8667
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5mOhm @ 4A, 4.5V 59mOhm @ 2A, 10V 24mOhm @ 3.5A, 10V 39mOhm @ 2.5A, 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Supplier Device-Gehäuse 8-ECH 8-ECH 8-ECH 8-ECH
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - 230pF @ 20V 710pF @ 10V 600pF @ 10V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.3nC @ 4.5V 4.5nC @ 10V 11.8nC @ 10V 13nC @ 10V
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Leistung - max 1.5W 1.5W 1.5W 1.5W

ECH8663R-TL-H Datenblatt PDF

Laden Sie ECH8663R-TL-H PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für ECH8663R-TL-H - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
ECH8663R.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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