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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysECH8690-TL-H
ECH8690-TL-H Image
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ECH8690-TL-H - onsemi

Hersteller Artikelnummer
ECH8690-TL-H
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-ECH8690-TL-H
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 60V ECH8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
ECH8690.pdf
RoHS Status
vorrätig: 39220

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Anzahl

Spezifikation

ECH8690-TL-H Tech -Spezifikationen
onsemi - ECH8690-TL-H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - ECH8690-TL-H

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-ECH  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2A, 10V  
Leistung - max 1.5W  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 955pF @ 20V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate, 4V Drive  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.7A, 3.5A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer ECH8690  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi ECH8690-TL-H.

Produkteigenschaften ECH8690-TL-H ECH8667-TL-H ECH8693R-TL-W ECH8668-TL-H
Artikelnummer ECH8690-TL-H ECH8667-TL-H ECH8693R-TL-W ECH8668-TL-H
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Leistung - max 1.5W 1.5W 1.4W 1.5W
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.7A, 3.5A 5.5A 14A 7.5A, 5A
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Konfiguration N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain N and P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 30V 24V 20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer ECH8690 ECH8667 ECH8693 ECH8668
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 955pF @ 20V 600pF @ 10V - 1060pF @ 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate, 4V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate
Supplier Device-Gehäuse 8-ECH 8-ECH SOT-28FL/ECH8 8-ECH
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V 13nC @ 10V 13nC @ 4.5V 10.8nC @ 4.5V
Serie - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2A, 10V 39mOhm @ 2.5A, 10V 7mOhm @ 5A, 4.5V 17mOhm @ 4A, 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead

ECH8690-TL-H Datenblatt PDF

Laden Sie ECH8690-TL-H PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für ECH8690-TL-H - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
ECH8690.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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