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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysEMH2418R-TL-H
EMH2418R-TL-H Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

EMH2418R-TL-H - onsemi

Hersteller Artikelnummer
EMH2418R-TL-H
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-EMH2418R-TL-H
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 24V 9A EMH8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
EMH2418R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4800

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Anzahl

Spezifikation

EMH2418R-TL-H Tech -Spezifikationen
onsemi - EMH2418R-TL-H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - EMH2418R-TL-H

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-383FL, EMH8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 4A, 4.5V  
Leistung - max 1.3W  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.4nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate, 2.5V Drive  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 24V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Grundproduktnummer EMH2418  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi EMH2418R-TL-H.

Produkteigenschaften EMH2418R-TL-H EMH2417R-TL-H EMH2412-TL-H EMH2408-TL-H
Artikelnummer EMH2418R-TL-H EMH2417R-TL-H EMH2412-TL-H EMH2408-TL-H
Hersteller onsemi onsemi Sanyo onsemi
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C 150°C (TJ)
Serie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A 11A 6A (Ta) 4A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.4nC @ 4.5V 16nC @ 4.5V 6.3nC @ 4.5V 4.7nC @ 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 24V 12V 24V 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 4A, 4.5V 10mOhm @ 5A, 4.5V 27mOhm @ 3A, 4.5V 45mOhm @ 4A, 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 1.3W 1.3W 1.3W (Ta) 1.2W
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Grundproduktnummer EMH2418 EMH2417 EMH2412 EMH2408
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - 345pF @ 10V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate, 2.5V Drive - Logic Level Gate
Supplier Device-Gehäuse SOT-383FL, EMH8 SOT-383FL, EMH8 SOT-383FL, EMH8 8-EMH
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA 1.3V @ 1mA 1.3V @ 1mA -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

EMH2418R-TL-H Datenblatt PDF

Laden Sie EMH2418R-TL-H PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für EMH2418R-TL-H - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
EMH2418R.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL 21/Dec/2021.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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EMH2418R-TL-H

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