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EMH3T2R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EMH3T2R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EMH3T2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
EMH3T2R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 440940

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Anzahl

Spezifikation

EMH3T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EMH3T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EMH3T2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse EMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) -  
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms  
Leistung - max 150mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer EMH3T2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EMH3T2R.

Produkteigenschaften EMH3T2R EMH51T2R EMH2T2R EMH25T2R
Artikelnummer EMH3T2R EMH51T2R EMH2T2R EMH25T2R
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Strom - Collector Cutoff (Max) - 500nA 500nA 500nA
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms 22kOhms 47kOhms 4.7kOhms
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse EMT6 EMT6 EMT6 EMT6
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 150mV @ 500µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Leistung - max 150mW 150mW 150mW 150mW
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Grundproduktnummer EMH3T2 EMH51 EMH2T2 EMH25
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V 60 @ 5mA, 10V 68 @ 5mA, 5V 80 @ 10mA, 5V
Serie - - - -
Widerstand - Emitterbasis (R2) - 22kOhms 47kOhms 47kOhms
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz 250MHz 250MHz
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666

EMH3T2R Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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