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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-ArraysEMX1DXV6T5G
EMX1DXV6T5G Image
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EMX1DXV6T5G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
EMX1DXV6T5G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-EMX1DXV6T5G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
EMX1DXV6T1,5.pdf
EMX1DXV6T1,5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 116740

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Spezifikation

EMX1DXV6T5G Tech -Spezifikationen
onsemi - EMX1DXV6T5G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - EMX1DXV6T5G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ 2 NPN (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-563  
Serie -  
Leistung - max 500mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 180MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 6V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer EMX1DXV6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi EMX1DXV6T5G.

Produkteigenschaften EMX1DXV6T5G EMX3T2R EMX1DXV6T1 EMX1DXV6T1G
Artikelnummer EMX1DXV6T5G EMX3T2R EMX1DXV6T1 EMX1DXV6T1G
Hersteller onsemi Rohm Semiconductor onsemi onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Frequenz - Übergang 180MHz 180MHz 180MHz 180MHz
Leistung - max 500mW 150mW 500mW 500mW
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 150mA 100mA 100mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 6V 120 @ 1mA, 6V 120 @ 1mA, 6V 120 @ 1mA, 6V
Grundproduktnummer EMX1DXV6 EMX3T2 EMX1 EMX1DXV6
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Serie - - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO) 100nA (ICBO) 500nA (ICBO) 500nA (ICBO)
Supplier Device-Gehäuse SOT-563 EMT6 SOT-563 SOT-563
Transistor-Typ 2 NPN (Dual) 2 NPN (Dual) 2 NPN (Dual) 2 NPN (Dual)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA 400mV @ 5mA, 50mA 400mV @ 5mA, 50mA 400mV @ 5mA, 50mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

EMX1DXV6T5G Datenblatt PDF

Laden Sie EMX1DXV6T5G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für EMX1DXV6T5G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Sep/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 24/Apr/2020.pdf
PCN -Verpackung
Carrier Tape 15/Aug/2017.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Wire Bond 01/Dec/2010.pdf
Datenblätter
EMX1DXV6T1,5.pdf
HTML -Datenblatt
EMX1DXV6T1,5.pdf

Lieferung

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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