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EMX52T2R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EMX52T2R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EMX52T2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2NPN 50V 0.1A EMT6
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
EMX52T2R.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 336850

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Spezifikation

EMX52T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EMX52T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EMX52T2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ 2 NPN (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse EMT6  
Serie -  
Leistung - max 150mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 350MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 6V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer EMX52  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EMX52T2R.

Produkteigenschaften EMX52T2R EMX26T2R EMX1DXV6T1G EMX5T2R
Artikelnummer EMX52T2R EMX26T2R EMX1DXV6T1G EMX5T2R
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi Rohm Semiconductor
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 6V 820 @ 50mA, 5V 120 @ 1mA, 6V 56 @ 5mA, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Frequenz - Übergang 350MHz 250MHz 180MHz 3.2GHz
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 11V
Grundproduktnummer EMX52 EMX26 EMX1DXV6 EMX5T2
Supplier Device-Gehäuse EMT6 EMT6 SOT-563 EMT6
Serie - - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA 300mV @ 5mA, 50mA 400mV @ 5mA, 50mA 500mV @ 5mA, 10mA
Leistung - max 150mW 150mW 500mW 150mW
Transistor-Typ 2 NPN (Dual) 2 NPN (Dual) 2 NPN (Dual) 2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 150mA 100mA 50mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 300nA (ICBO) 500nA (ICBO) 500nA (ICBO)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)

EMX52T2R Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
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Rohm Semiconductor
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