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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCD600N65S3R0
FCD600N65S3R0 Image
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FCD600N65S3R0 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCD600N65S3R0
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCD600N65S3R0
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FCD600N65S3R0.pdf
RoHS Status
vorrätig: 51030

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Anzahl

Spezifikation

FCD600N65S3R0 Tech -Spezifikationen
onsemi - FCD600N65S3R0 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCD600N65S3R0

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 600µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252)  
Serie SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 54W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 465 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc)  
Grundproduktnummer FCD600  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCD600N65S3R0.

Produkteigenschaften FCD600N65S3R0 FCD600N60Z FCD5N60-F085 FCD7N60TM
Artikelnummer FCD600N65S3R0 FCD600N60Z FCD5N60-F085 FCD7N60TM
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 600µA 3.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 600 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252) TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252AA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc) 7.4A (Tc) 4.6A (Tc) 7A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer FCD600 - - FCD7N60
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 465 pF @ 400 V 1120 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V 920 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie SuperFET® III * Automotive, AEC-Q101, SuperFET™ SuperFET™
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3A, 10V 600mOhm @ 3.7A, 10V 1.1Ohm @ 4.6A, 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 54W (Tc) 89W (Tc) 54W (Tj) 83W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FCD600N65S3R0 Datenblatt PDF

Laden Sie FCD600N65S3R0 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCD600N65S3R0 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 28/May/2023.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
Datenblätter
FCD600N65S3R0.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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