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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCD5N60TF
FCD5N60TF Image
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FCD5N60TF - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCD5N60TF
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCD5N60TF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FCxU5N60.pdf
vorrätig: 4690

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Anzahl

Spezifikation

FCD5N60TF Tech -Spezifikationen
onsemi - FCD5N60TF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCD5N60TF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie SuperFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 2.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 54W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A (Tc)  
Grundproduktnummer FCD5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCD5N60TF.

Produkteigenschaften FCD5N60TF FCD600N60Z FCD600N60Z FCD5N60TM
Artikelnummer FCD5N60TF FCD600N60Z FCD600N60Z FCD5N60TM
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Grundproduktnummer FCD5 FCD600 - FCD5N60
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A (Tc) 7.4A (Tc) 7.4A (Tc) 4.6A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V 1120 pF @ 25 V 1120 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V
Serie SuperFET™ SuperFET® II * SuperFET™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 2.3A, 10V 600mOhm @ 3.7A, 10V 600mOhm @ 3.7A, 10V 950mOhm @ 2.3A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 54W (Tc) 89W (Tc) 89W (Tc) 54W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FCD5N60TF Datenblatt PDF

Laden Sie FCD5N60TF PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCD5N60TF - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FCxU5N60.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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