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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDA69N25
FDA69N25 Image
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FDA69N25 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDA69N25
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDA69N25
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FDA69N25.pdf
RoHS Status
vorrätig: 24895

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Anzahl

Spezifikation

FDA69N25 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDA69N25 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDA69N25

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 34.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 480W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4640 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 69A (Tc)  
Grundproduktnummer FDA69  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDA69N25.

Produkteigenschaften FDA69N25 FDA8440 FDA70N20 FDA75N28
Artikelnummer FDA69N25 FDA8440 FDA70N20 FDA75N28
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 69A (Tc) 30A (Ta), 100A (Tc) 70A (Tc) 75A (Tc)
Paket Tube Tube Bulk Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN TO-3PN TO-3PN TO-3PN
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 3V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 34.5A, 10V 2.1mOhm @ 80A, 10V 35mOhm @ 35A, 10V 41mOhm @ 37.5A, 10V
Grundproduktnummer FDA69 FDA84 - FDA75
Serie UniFET™ PowerTrench® UniFET™ UniFET™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 450 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 144 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4640 pF @ 25 V 24740 pF @ 25 V 3970 pF @ 25 V 6700 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 480W (Tc) 306W (Tc) 417W (Tc) 520W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 40 V 200 V 280 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

FDA69N25 Datenblatt PDF

Laden Sie FDA69N25 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDA69N25 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf Postponed Qualification 27/Dec/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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