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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDB4020P
FDB4020P Image
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FDB4020P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDB4020P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDB4020P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FDB4020P, FDP4020P.pdf
vorrätig: 3810

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Anzahl

Spezifikation

FDB4020P Tech -Spezifikationen
onsemi - FDB4020P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDB4020P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 8A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 37.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 665 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta)  
Grundproduktnummer FDB402  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDB4020P.

Produkteigenschaften FDB4020P FDB3860 FDB38N30U FDB4020P
Artikelnummer FDB4020P FDB3860 FDB38N30U FDB4020P
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verlustleistung (max) 37.5W (Tc) 3.1W (Ta), 71W (Tc) 313W (Tc) 37.5W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 10V 10V 2.5V, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta) 6.4A (Ta), 30A (Tc) 38A (Tc) 16A (Ta)
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V 30 nC @ 10 V 73 nC @ 10 V 13 nC @ 4.5 V
Grundproduktnummer FDB402 FDB386 FDB38N30 -
Vgs (Max) ±8V ±20V ±30V ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 100 V 300 V 20 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 665 pF @ 10 V 1740 pF @ 50 V 3340 pF @ 25 V 665 pF @ 10 V
Serie - PowerTrench® UniFET™ -
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 8A, 4.5V 37mOhm @ 5.9A, 10V 120mOhm @ 19A, 10V 80mOhm @ 8A, 4.5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 1V @ 250µA

FDB4020P Datenblatt PDF

Laden Sie FDB4020P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDB4020P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDB4020P, FDP4020P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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