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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDB42AN15A0
FDB42AN15A0 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDB42AN15A0 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDB42AN15A0
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDB42AN15A0
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO263AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FDB42AN15A0, FDP42AN15A0.pdf
vorrätig: 4090

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Spezifikation

FDB42AN15A0 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDB42AN15A0 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDB42AN15A0

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Ta), 35A (Tc)  
Grundproduktnummer FDB42  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDB42AN15A0.

Produkteigenschaften FDB42AN15A0 FDB4020P FDB4020P FDB42AN15A0
Artikelnummer FDB42AN15A0 FDB4020P FDB4020P FDB42AN15A0
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±8V ±8V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Ta), 35A (Tc) 16A (Ta) 16A (Ta) 5A (Ta), 35A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 25 V 665 pF @ 10 V 665 pF @ 10 V 2150 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 12A, 10V 80mOhm @ 8A, 4.5V 80mOhm @ 8A, 4.5V 42mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 13 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 39 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 6V, 10V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Grundproduktnummer FDB42 - FDB402 -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 20 V 20 V 150 V
Serie PowerTrench® - - PowerTrench®
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 37.5W (Tc) 37.5W (Tc) 150W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel

FDB42AN15A0 Datenblatt PDF

Laden Sie FDB42AN15A0 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDB42AN15A0 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 14/Mar/2011.pdf
Datenblätter
FDB42AN15A0, FDP42AN15A0.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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