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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDBL0200N100
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDBL0200N100 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDBL0200N100
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDBL0200N100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerSFN
Datenblatt
FDBL0200N100.pdf
RoHS Status
vorrätig: 10343

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Anzahl

Spezifikation

FDBL0200N100 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDBL0200N100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDBL0200N100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-HPSOF  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 429W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9760 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 133 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 300A (Tc)  
Grundproduktnummer FDBL0200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDBL0200N100.

Produkteigenschaften FDBL0200N100 FDBL0240N100 FDBL0210N80 FDBL0260N100
Artikelnummer FDBL0200N100 FDBL0240N100 FDBL0210N80 FDBL0260N100
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Supplier Device-Gehäuse 8-HPSOF 8-HPSOF 8-HPSOF 8-HPSOF
Serie - PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 133 nC @ 10 V 111 nC @ 10 V 169 nC @ 10 V 116 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSFN 8-PowerSFN 8-PowerSFN 8-PowerSFN
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 80 V 100 V
Verlustleistung (max) 429W (Tc) 3.5W (Ta), 300W (Tc) 357W (Tj) 3.5W (Ta), 250W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 300A (Tc) 210A (Tc) 240A (Tc) 200A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer FDBL0200 FDBL0240 FDBL0210 FDBL0260
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 80A, 10V 2.8mOhm @ 80A, 10V 2mOhm @ 80A, 10V 2.6mOhm @ 80A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9760 pF @ 50 V 8755 pF @ 50 V 10000 pF @ 40 V 9265 pF @ 50 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

FDBL0200N100 Datenblatt PDF

Laden Sie FDBL0200N100 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDBL0200N100 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
DK OBS NOTICE.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T 17/Jun/2021.pdf
Datenblätter
FDBL0200N100.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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