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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDBL0260N100
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDBL0260N100 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDBL0260N100
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDBL0260N100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerSFN
Datenblatt
FDBL0260N100.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9086

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Anzahl

Spezifikation

FDBL0260N100 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDBL0260N100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDBL0260N100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-HPSOF  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.5W (Ta), 250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9265 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 116 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200A (Tc)  
Grundproduktnummer FDBL0260  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDBL0260N100.

Produkteigenschaften FDBL0260N100 FDBL0210N80 FDBL0110N60 FDBL86062-F085
Artikelnummer FDBL0260N100 FDBL0210N80 FDBL0110N60 FDBL86062-F085
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 80 V 60 V 100 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® -
Verlustleistung (max) 3.5W (Ta), 250W (Tc) 357W (Tj) 429W (Tj) 429W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse 8-HPSOF 8-HPSOF 8-HPSOF 8-HPSOF
Grundproduktnummer FDBL0260 - FDBL0110 FDBL86062
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200A (Tc) 240A (Tc) 300A (Tc) 300A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 80A, 10V 2mOhm @ 80A, 10V 1.1mOhm @ 80A, 10V 2mOhm @ 80A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9265 pF @ 50 V 10 pF @ 40 V 13650 pF @ 30 V 6970 pF @ 50 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSFN 8-PowerSFN 8-PowerSFN 8-PowerSFN
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 116 nC @ 10 V 169 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 124 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

FDBL0260N100 Datenblatt PDF

Laden Sie FDBL0260N100 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDBL0260N100 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Datenblätter
FDBL0260N100.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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