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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDC6301N
onsemi
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FDC6301N - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDC6301N
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDC6301N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
FDC6301N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 225790

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Anzahl

Spezifikation

FDC6301N Tech -Spezifikationen
onsemi - FDC6301N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDC6301N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V  
Leistung - max 700mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 220mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDC6301  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDC6301N.

Produkteigenschaften FDC6301N FDC6303N FDC6302P FDC6302P
Artikelnummer FDC6301N FDC6303N FDC6302P FDC6302P
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V 25V 25V 25V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V 450mOhm @ 500mA, 4.5V 10Ohm @ 200mA, 4.5V 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 220mA 680mA 120mA 120mA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 700mW 700mW 700mW 700mW
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V 2.3nC @ 4.5V 0.31nC @ 4.5V 0.31nC @ 4.5V
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Grundproduktnummer FDC6301 FDC6303 FDC6302 FDC6302
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V 50pF @ 10V 11pF @ 10V 11pF @ 10V

FDC6301N Datenblatt PDF

Laden Sie FDC6301N PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDC6301N - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Marking Change 07/Oct/2022.pdf Marking Change 17/Nov/2021.pdf
PCN -Verpackung
Marking Change 07/Oct/2022.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test 27/Jan/2021.pdf
Datenblätter
FDC6301N.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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