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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDC6302P
onsemi
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FDC6302P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDC6302P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDC6302P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 25V 120MA SSOT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
FDC6302P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4050

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Anzahl

Spezifikation

FDC6302P Tech -Spezifikationen
onsemi - FDC6302P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDC6302P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 200mA, 4.5V  
Leistung - max 700mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.31nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120mA  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDC6302  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDC6302P.

Produkteigenschaften FDC6302P FDC6303N FDC6305N FDC6302P
Artikelnummer FDC6302P FDC6303N FDC6305N FDC6302P
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V 25V 20V 25V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120mA 680mA 2.7A 120mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.31nC @ 4.5V 2.3nC @ 4.5V 5nC @ 4.5V 0.31nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 200mA, 4.5V 450mOhm @ 500mA, 4.5V 80mOhm @ 2.7A, 4.5V 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Grundproduktnummer FDC6302 FDC6303 FDC6305 FDC6302
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 700mW 700mW 700mW 700mW
Serie - - PowerTrench® -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11pF @ 10V 50pF @ 10V 310pF @ 10V 11pF @ 10V

FDC6302P Datenblatt PDF

Laden Sie FDC6302P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDC6302P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mold Compound 08/April/2008.pdf FDC6x, NDC7003P Die 11/May/2007.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 17/Aug/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chg 6/May/2020.pdf
Datenblätter
FDC6302P.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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