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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDC6306P
onsemi
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FDC6306P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDC6306P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDC6306P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
FDC6306P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 117300

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Anzahl

Spezifikation

FDC6306P Tech -Spezifikationen
onsemi - FDC6306P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDC6306P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 1.9A, 4.5V  
Leistung - max 700mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 441pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.9A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDC6306  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDC6306P.

Produkteigenschaften FDC6306P FDC6305N FDC6310P FDC6304P
Artikelnummer FDC6306P FDC6305N FDC6310P FDC6304P
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.9A 2.7A 2.2A 460mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 1.9A, 4.5V 80mOhm @ 2.7A, 4.5V 125mOhm @ 2.2A, 4.5V 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V 5nC @ 4.5V 5.2nC @ 4.5V 1.5nC @ 4.5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Leistung - max 700mW 700mW 700mW 700mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 441pF @ 10V 310pF @ 10V 337pF @ 10V 62pF @ 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Grundproduktnummer FDC6306 FDC6305 FDC6310 FDC6304
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 25V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA

FDC6306P Datenblatt PDF

Laden Sie FDC6306P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDC6306P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Marking Change 07/Oct/2022.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Marking Change 07/Oct/2022.pdf Marking Change 17/Nov/2021.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 24/Dec/2021.pdf Mult Dev Retraction 14/Jan/2022.pdf
Datenblätter
FDC6306P.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chgs 21/Dec/2020.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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