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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDC6304P
onsemi
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FDC6304P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDC6304P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDC6304P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 25V 460MA SSOT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
FDC6304P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4060

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Anzahl

Spezifikation

FDC6304P Tech -Spezifikationen
onsemi - FDC6304P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDC6304P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V  
Leistung - max 700mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 62pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 460mA  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDC6304  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDC6304P.

Produkteigenschaften FDC6304P FDC6305N FDC6302P FDC6302P
Artikelnummer FDC6304P FDC6305N FDC6302P FDC6302P
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 62pF @ 10V 310pF @ 10V 11pF @ 10V 11pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V 5nC @ 4.5V 0.31nC @ 4.5V 0.31nC @ 4.5V
Grundproduktnummer FDC6304 FDC6305 FDC6302 FDC6302
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - PowerTrench® - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 460mA 2.7A 120mA 120mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Leistung - max 700mW 700mW 700mW 700mW
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V 20V 25V 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V 80mOhm @ 2.7A, 4.5V 10Ohm @ 200mA, 4.5V 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)

FDC6304P Datenblatt PDF

Laden Sie FDC6304P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDC6304P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mold Compound 08/April/2008.pdf FDC6x, NDC7003P Die 11/May/2007.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 12/Aug/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test 27/Jan/2021.pdf
Datenblätter
FDC6304P.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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