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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDC6401N
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDC6401N - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDC6401N
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDC6401N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
FDC6401N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 124830

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Anzahl

Spezifikation

FDC6401N Tech -Spezifikationen
onsemi - FDC6401N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDC6401N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 3A, 4.5V  
Leistung - max 700mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 324pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDC6401  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDC6401N.

Produkteigenschaften FDC6401N FDC6420C FDC638P_NL FDC638P
Artikelnummer FDC6401N FDC6420C FDC638P_NL FDC638P
Hersteller onsemi onsemi Fairchild (onsemi) onsemi
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA - 1.5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer FDC6401 FDC6420 - FDC638
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V 4.6nC @ 4.5V - 14 nC @ 4.5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A 3A, 2.2A - 4.5A (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 - SuperSOT™-6
Serie PowerTrench® PowerTrench® - PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 3A, 4.5V 70mOhm @ 3A, 4.5V - 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Leistung - max 700mW 700mW - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V - 20 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 324pF @ 10V 324pF @ 10V - 1160 pF @ 10 V
FET-Merkmal - Logic Level Gate - -
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

FDC6401N Datenblatt PDF

Laden Sie FDC6401N PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDC6401N - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Marking Change 07/Oct/2022.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Marking Change 07/Oct/2022.pdf Marking Change 17/Nov/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly 11/Nov/2020.pdf
Datenblätter
FDC6401N.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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