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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDC640P
onsemi
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FDC640P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDC640P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDC640P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
FDC640P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 148090

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Anzahl

Spezifikation

FDC640P Tech -Spezifikationen
onsemi - FDC640P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDC640P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 4.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 890 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Ta)  
Grundproduktnummer FDC640  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDC640P.

Produkteigenschaften FDC640P FDC638P FDC642P FDC6392S
Artikelnummer FDC640P FDC638P FDC642P FDC6392S
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
FET-Merkmal - - - Schottky Diode (Isolated)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 4.5A, 4.5V 48mOhm @ 4.5A, 4.5V 65mOhm @ 4A, 4.5V 150mOhm @ 2.2A, 4.5V
Grundproduktnummer FDC640 - - FDC6392
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 16 nC @ 4.5 V 5.2 nC @ 4.5 V
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 890 pF @ 10 V 1160 pF @ 10 V 925 pF @ 10 V 369 pF @ 10 V
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 960mW (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Ta) 4.5A (Ta) 4A (Ta) 2.2A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Vgs (Max) ±12V ±8V ±8V ±12V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6

FDC640P Datenblatt PDF

Laden Sie FDC640P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDC640P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Marking Change 07/Oct/2022.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Marking Change 07/Oct/2022.pdf Marking Change 17/Nov/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Chgs 13/Dec/2021.pdf
Datenblätter
FDC640P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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