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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDC642P-F085P
FDC642P-F085P Image
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FDC642P-F085P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDC642P-F085P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDC642P-F085P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 4A TSOT23-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
FDC642P-F085.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5390

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Anzahl

Spezifikation

FDC642P-F085P Tech -Spezifikationen
onsemi - FDC642P-F085P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDC642P-F085P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSOT-23-6  
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta)  
Grundproduktnummer FDC642  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDC642P-F085P.

Produkteigenschaften FDC642P-F085P FDC645N FDC645N FDC642P
Artikelnummer FDC642P-F085P FDC645N FDC645N FDC642P
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta) 5.5A (Ta) 5.5A (Ta) 4A (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 10 V 1460 pF @ 15 V 1460 pF @ 15 V 925 pF @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4A, 4.5V 26mOhm @ 6.2A, 10V 26mOhm @ 6.2A, 10V 65mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device-Gehäuse TSOT-23-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 30 V 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V 21 nC @ 4.5 V 21 nC @ 4.5 V 16 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±8V ±12V ±12V ±8V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 1.2W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
Grundproduktnummer FDC642 FDC645 - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -

FDC642P-F085P Datenblatt PDF

Laden Sie FDC642P-F085P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDC642P-F085P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Datenblätter
FDC642P-F085.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Trsf 7/Mar/2019.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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