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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDC655BN
onsemi
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FDC655BN - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDC655BN
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDC655BN
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
FDC655BN.pdf
RoHS Status
vorrätig: 178310

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Anzahl

Spezifikation

FDC655BN Tech -Spezifikationen
onsemi - FDC655BN Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDC655BN

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.3A (Ta)  
Grundproduktnummer FDC655  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDC655BN.

Produkteigenschaften FDC655BN FDC655AN FDC658AP FDC655AN
Artikelnummer FDC655BN FDC655AN FDC658AP FDC655AN
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Grundproduktnummer FDC655 - FDC658 FDC655
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.3A (Ta) 6.3A (Ta) 4A (Ta) 6.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 13 nC @ 5 V 8.1 nC @ 5 V 13 nC @ 5 V
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6.3A, 10V 27mOhm @ 6.3A, 10V 50mOhm @ 4A, 10V 27mOhm @ 6.3A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 15 V 830 pF @ 15 V 470 pF @ 15 V 830 pF @ 15 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA

FDC655BN Datenblatt PDF

Laden Sie FDC655BN PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDC655BN - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 08/April/2008.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Changes 14/Jun/2019.pdf
Datenblätter
FDC655BN.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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