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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDC655BN
Fairchild Semiconductor
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FDC655BN - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDC655BN
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDC655BN
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
FDC655BN.pdf
vorrätig: 4850

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Spezifikation

FDC655BN Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDC655BN Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDC655BN

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.3A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDC655BN.

Produkteigenschaften FDC655BN FDC655AN FDC655AN FDC658AP
Artikelnummer FDC655BN FDC655AN FDC655AN FDC658AP
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 15 V 830 pF @ 15 V 830 pF @ 15 V 470 pF @ 15 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±25V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 13 nC @ 5 V 13 nC @ 5 V 8.1 nC @ 5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6.3A, 10V 27mOhm @ 6.3A, 10V 27mOhm @ 6.3A, 10V 50mOhm @ 4A, 10V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.3A (Ta) 6.3A (Ta) 6.3A (Ta) 4A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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