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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDC86244
onsemi
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FDC86244 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDC86244
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDC86244
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
FDC86244.pdf
RoHS Status
vorrätig: 114870

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Anzahl

Spezifikation

FDC86244 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDC86244 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDC86244

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 144mOhm @ 2.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 345 pF @ 75 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Ta)  
Grundproduktnummer FDC8624  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDC86244.

Produkteigenschaften FDC86244 FDC8886 FDC8886 FDC8884
Artikelnummer FDC86244 FDC8886 FDC8886 FDC8884
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 345 pF @ 75 V 465 pF @ 15 V 465 pF @ 15 V 465 pF @ 15 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer FDC8624 FDC8886 - FDC8884
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 30 V 30 V 30 V
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 144mOhm @ 2.3A, 10V 23mOhm @ 6.5A, 10V 23mOhm @ 6.5A, 10V 23mOhm @ 6.5A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Ta) 6.5A (Ta), 8A (Tc) 6.5A (Ta), 8A (Tc) 6.5A (Ta), 8A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V 7.4 nC @ 10 V 7.4 nC @ 10 V 7.4 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6

FDC86244 Datenblatt PDF

Laden Sie FDC86244 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDC86244 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Datasheet Update 20/Jul/2015.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014.pdf
Datenblätter
FDC86244.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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