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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDC8884
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDC8884 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDC8884
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDC8884
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
FDC8884.pdf
RoHS Status
vorrätig: 64960

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Anzahl

Spezifikation

FDC8884 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDC8884 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDC8884

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 6.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 465 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Ta), 8A (Tc)  
Grundproduktnummer FDC8884  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDC8884.

Produkteigenschaften FDC8884 FDC8886 FDC855N FDC8886
Artikelnummer FDC8884 FDC8886 FDC855N FDC8886
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Ta), 8A (Tc) 6.5A (Ta), 8A (Tc) 6.1A (Ta) 6.5A (Ta), 8A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer FDC8884 - FDC855 FDC8886
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 6.5A, 10V 23mOhm @ 6.5A, 10V 27mOhm @ 6.1A, 10V 23mOhm @ 6.5A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4 nC @ 10 V 7.4 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 7.4 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 465 pF @ 15 V 465 pF @ 15 V 655 pF @ 15 V 465 pF @ 15 V
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FDC8884 Datenblatt PDF

Laden Sie FDC8884 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDC8884 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Datasheet Update 20/Jul/2015.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
Datenblätter
FDC8884.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Changes 14/Jun/2019.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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