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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDD2582
FDD2582 Image
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FDD2582 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDD2582
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDD2582
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FDD2582.pdf
RoHS Status
vorrätig: 71020

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Anzahl

Spezifikation

FDD2582 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDD2582 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDD2582

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 7A, 10V  
Verlustleistung (max) 95W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1295 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.7A (Ta), 21A (Tc)  
Grundproduktnummer FDD258  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDD2582.

Produkteigenschaften FDD2582 FDD2570 FDD2582 FDD2612
Artikelnummer FDD2582 FDD2570 FDD2582 FDD2612
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1295 pF @ 25 V 1907 pF @ 75 V 1295 pF @ 25 V 234 pF @ 100 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Verlustleistung (max) 95W (Tc) 3.2W (Ta), 70W (Tc) 95W (Tc) 42W (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer FDD258 FDD257 - FDD261
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 150 V 150 V 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 7A, 10V 80mOhm @ 4.7A, 10V 66mOhm @ 7A, 10V 720mOhm @ 1.5A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.7A (Ta), 21A (Tc) 4.7A (Ta) 3.7A (Ta), 21A (Tc) 4.9A (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -

FDD2582 Datenblatt PDF

Laden Sie FDD2582 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDD2582 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 28/May/2023.pdf
Datenblätter
FDD2582.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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