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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDD2612
FDD2612 Image
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FDD2612 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDD2612
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDD2612
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FDD2612.pdf
vorrätig: 4230

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Anzahl

Spezifikation

FDD2612 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDD2612 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDD2612

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 720mOhm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 42W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 234 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.9A (Ta)  
Grundproduktnummer FDD261  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDD2612.

Produkteigenschaften FDD2612 FDD2582 FDD2582 FDD2612
Artikelnummer FDD2612 FDD2582 FDD2582 FDD2612
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 150 V 150 V 200 V
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.9A (Ta) 3.7A (Ta), 21A (Tc) 3.7A (Ta), 21A (Tc) 4.9A (Ta)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Grundproduktnummer FDD261 FDD258 - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 6V, 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 234 pF @ 100 V 1295 pF @ 25 V 1295 pF @ 25 V 234 pF @ 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 720mOhm @ 1.5A, 10V 66mOhm @ 7A, 10V 66mOhm @ 7A, 10V 720mOhm @ 1.5A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 42W (Ta) 95W (Tc) 95W (Tc) 42W (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FDD2612 Datenblatt PDF

Laden Sie FDD2612 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDD2612 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDD2612.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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