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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDD6782A
FDD6782A Image
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FDD6782A - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDD6782A
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDD6782A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 20A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FDD6782A.pdf
vorrätig: 5400

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Anzahl

Spezifikation

FDD6782A Tech -Spezifikationen
onsemi - FDD6782A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDD6782A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 14.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 31W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1065 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta)  
Grundproduktnummer FDD678  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDD6782A.

Produkteigenschaften FDD6782A FDD6782A FDD6796A FDD6796A
Artikelnummer FDD6782A FDD6782A FDD6796A FDD6796A
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 31W (Tc) 3.7W (Ta), 31W (Tc) 3.7W (Ta), 42W (Tc) 3.7W (Ta), 42W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1065 pF @ 13 V 1065 pF @ 13 V 1780 pF @ 13 V 1780 pF @ 13 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer FDD678 - FDD679 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 14.9A, 10V 10.5mOhm @ 14.9A, 10V 5.7mOhm @ 20A, 10V 5.7mOhm @ 20A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta) 20A (Ta) 20A (Ta), 40A (Tc) 20A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252, (D-Pak)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®

FDD6782A Datenblatt PDF

Laden Sie FDD6782A PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDD6782A - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDD6782A.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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