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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDD6796A
FDD6796A Image
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FDD6796A - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDD6796A
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDD6796A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FD(D,U)6796A(_F071).pdf
vorrätig: 4430

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Anzahl

Spezifikation

FDD6796A Tech -Spezifikationen
onsemi - FDD6796A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDD6796A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1780 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta), 40A (Tc)  
Grundproduktnummer FDD679  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDD6796A.

Produkteigenschaften FDD6796A FDD6780A FDD6N20TF FDD6N20TM
Artikelnummer FDD6796A FDD6780A FDD6N20TF FDD6N20TM
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA D-PAK (TO-252) TO-252, (D-Pak) TO-252AA
Grundproduktnummer FDD679 FDD678 - FDD6N20
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 200 V 200 V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1780 pF @ 13 V 1235 pF @ 13 V 230 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 42W (Tc) 3.7W (Ta), 32.6W (Tc) 40W (Tc) 40W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 6.1 nC @ 10 V 6.1 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 20A, 10V 8.6mOhm @ 16.4A, 10V 800mOhm @ 2.3A, 10V 800mOhm @ 2.3A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta), 40A (Tc) 16.4A (Ta), 30A (Tc) 4.5A (Tc) 4.5A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie PowerTrench® PowerTrench® UniFET™ UniFET™

FDD6796A Datenblatt PDF

Laden Sie FDD6796A PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDD6796A - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Description Chg 01/Apr/2016.pdf
Datenblätter
FD(D,U)6796A(_F071).pdf
PCN -Teilstatusänderung
Status Chg 22/Feb/2017.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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