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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDD8882
FDD8882 Image
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FDD8882 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDD8882
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDD8882
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FDD8882, FDU8882.pdf
RoHS Status
vorrätig: 81040

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Anzahl

Spezifikation

FDD8882 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDD8882 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDD8882

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 35A, 10V  
Verlustleistung (max) 55W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1260 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.6A (Ta), 55A (Tc)  
Grundproduktnummer FDD888  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDD8882.

Produkteigenschaften FDD8882 FDD8878 FDD8878 FDD8880
Artikelnummer FDD8882 FDD8878 FDD8878 FDD8880
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer FDD888 - FDD887 -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 35A, 10V 15mOhm @ 35A, 10V 15mOhm @ 35A, 10V 9mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252, (D-Pak)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1260 pF @ 15 V 880 pF @ 15 V 880 pF @ 15 V 1260 pF @ 15 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.6A (Ta), 55A (Tc) 11A (Ta), 40A (Tc) 11A (Ta), 40A (Tc) 13A (Ta), 58A (Tc)
Verlustleistung (max) 55W (Tc) 40W (Tc) 40W (Tc) 55W (Tc)

FDD8882 Datenblatt PDF

Laden Sie FDD8882 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDD8882 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 13/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FDD8882, FDU8882.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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