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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDD8880
Fairchild Semiconductor
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FDD8880 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDD8880
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDD8880
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FDD8880.pdf
vorrätig: 4120

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Spezifikation

FDD8880 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDD8880 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDD8880

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 35A, 10V  
Verlustleistung (max) 55W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1260 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta), 58A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDD8880.

Produkteigenschaften FDD8880 FDD8882 FDD8878 FDD8882
Artikelnummer FDD8880 FDD8882 FDD8878 FDD8882
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta), 58A (Tc) 12.6A (Ta), 55A (Tc) 11A (Ta), 40A (Tc) 12.6A (Ta), 55A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 35A, 10V 11.5mOhm @ 35A, 10V 15mOhm @ 35A, 10V 11.5mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 55W (Tc) 55W (Tc) 40W (Tc) 55W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1260 pF @ 15 V 1260 pF @ 15 V 880 pF @ 15 V 1260 pF @ 15 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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