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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDD9409L-F085
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FDD9409L-F085 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDD9409L-F085
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDD9409L-F085
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 90A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FDD9409L-F085.pdf
RoHS Status
vorrätig: 20930

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Anzahl

Spezifikation

FDD9409L-F085 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDD9409L-F085 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDD9409L-F085

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tj)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3360 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  
Grundproduktnummer FDD9409  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDD9409L-F085.

Produkteigenschaften FDD9409L-F085 FDD9507L-F085 FDD9509L-F085 FDD9407L-F085
Artikelnummer FDD9409L-F085 FDD9507L-F085 FDD9509L-F085 FDD9407L-F085
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA D-PAK (TO-252) D-PAK (TO-252) TO-252AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 100A (Tc) 90A (Tc) 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 80A, 10V 4.4mOhm @ 80A, 10V 7.5mOhm @ 70A, 10V 2.4mOhm @ 80A, 4.5V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Vgs (Max) ±20V ±16V ±16V ±20V
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 150W (Tj) 227W (Ta) 150W (Tj) 227W (Tj)
Grundproduktnummer FDD9409 FDD9507 FDD9509 FDD9407
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3360 pF @ 20 V 6250 pF @ 20 V 3350 pF @ 20 V 6700 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 125 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FDD9409L-F085 Datenblatt PDF

Laden Sie FDD9409L-F085 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDD9409L-F085 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Obsolete 30/Sep/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T 18/Aug/2021.pdf
Datenblätter
FDD9409L-F085.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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