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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDD9509L-F085
FDD9509L-F085 Image
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FDD9509L-F085 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDD9509L-F085
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDD9509L-F085
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 90A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FDD9509L-F085.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5130

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Anzahl

Spezifikation

FDD9509L-F085 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDD9509L-F085 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDD9509L-F085

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 70A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tj)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3350 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  
Grundproduktnummer FDD9509  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDD9509L-F085.

Produkteigenschaften FDD9509L-F085 FDD9511L-F085 FDD9407-F085 FDD8N50NZTM
Artikelnummer FDD9509L-F085 FDD9511L-F085 FDD9407-F085 FDD8N50NZTM
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 112 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer FDD9509 FDD9511 FDD9407 FDD8N50
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252) D-PAK (TO-252) TO-252AA TO-252AA
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 500 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±25V
Verlustleistung (max) 150W (Tj) 48.4W (Tj) 227W (Tc) 90W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 25A (Tc) 100A (Tc) 6.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3350 pF @ 20 V 1200 pF @ 20 V 6390 pF @ 25 V 735 pF @ 25 V
Serie PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® UniFET-II™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 70A, 10V 21mOhm @ 25A, 10V 2mOhm @ 80A, 10V 850mOhm @ 3.25A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

FDD9509L-F085 Datenblatt PDF

Laden Sie FDD9509L-F085 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDD9509L-F085 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T 18/Aug/2021.pdf
Datenblätter
FDD9509L-F085.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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