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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDFS6N754
FDFS6N754 Image
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FDFS6N754 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDFS6N754
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDFS6N754
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 4A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDFS6N754.pdf
vorrätig: 4300

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Anzahl

Spezifikation

FDFS6N754 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDFS6N754 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDFS6N754

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 4A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 299 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta)  
Grundproduktnummer FDFS6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDFS6N754.

Produkteigenschaften FDFS6N754 FDFME3N311ZT FDFS2P102 FDFME3N311ZT
Artikelnummer FDFS6N754 FDFME3N311ZT FDFS2P102 FDFME3N311ZT
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 2V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 6-UMLP (1.6x1.6) 8-SOIC 6-UMLP (1.6x1.6)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 20 V 30 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V 1.4 nC @ 4.5 V 10 nC @ 10 V 1.4 nC @ 4.5 V
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated) - Schottky Diode (Isolated) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 299 pF @ 15 V 75 pF @ 15 V 270 pF @ 10 V 75 pF @ 15 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Serie PowerTrench® PowerTrench® - PowerTrench®
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-UFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-UFDFN Exposed Pad
Vgs (Max) ±20V ±12V ±20V ±12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 4A, 10V 299mOhm @ 1.6A, 4.5V 125mOhm @ 3.3A, 10V 299mOhm @ 1.6A, 4.5V
Grundproduktnummer FDFS6 - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta) 1.8A (Ta) 3.3A (Ta) 1.8A (Ta)
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta) 600mW (Ta) 900mW (Ta) 600mW (Ta)

FDFS6N754 Datenblatt PDF

Laden Sie FDFS6N754 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDFS6N754 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices 31/Jan/2019.pdf
Datenblätter
FDFS6N754.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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FDFS6N754

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32D-FDFS6N754

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