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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDG1024NZ
FDG1024NZ Image
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FDG1024NZ - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDG1024NZ
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDG1024NZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
FDG1024NZ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 121250

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Anzahl

Spezifikation

FDG1024NZ Tech -Spezifikationen
onsemi - FDG1024NZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDG1024NZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88 (SC-70-6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 1.2A, 4.5V  
Leistung - max 300mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.6nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.2A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDG1024  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDG1024NZ.

Produkteigenschaften FDG1024NZ FDG313N FDG1024NZ MOS FDG311N
Artikelnummer FDG1024NZ FDG313N FDG1024NZ MOS FDG311N
Hersteller onsemi onsemi AMI Semiconductor/onsemi Fairchild Semiconductor
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
Serie PowerTrench® - - PowerTrench®
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.6nC @ 4.5V 2.3 nC @ 4.5 V - 4.5 nC @ 4.5 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Leistung - max 300mW - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 25 V - 20 V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA - 1.5V @ 250µA
Grundproduktnummer FDG1024 FDG313 - -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) - SC-88 (SC-70-6)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V 50 pF @ 10 V - 270 pF @ 10 V
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 1.2A, 4.5V 450mOhm @ 500mA, 4.5V - 115mOhm @ 1.9A, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.2A 950mA (Ta) - 1.9A (Ta)

FDG1024NZ Datenblatt PDF

Laden Sie FDG1024NZ PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDG1024NZ - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022.pdf 2N7002x/BSSx/FDGx/FDVx/NDS06x 10/May/2022.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 11/Mar/2013.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Multi Dev 20/Sep/2022.pdf
Datenblätter
FDG1024NZ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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