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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDG361N
FDG361N Image
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FDG361N - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDG361N
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDG361N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 600MA SC88
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
FDG361N.pdf
vorrätig: 4600

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Anzahl

Spezifikation

FDG361N Tech -Spezifikationen
onsemi - FDG361N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDG361N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88 (SC-70-6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 600mA, 10V  
Verlustleistung (max) 420mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 153 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 600mA (Ta)  
Grundproduktnummer FDG361  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDG361N.

Produkteigenschaften FDG361N FDG330P FDG410NZ FDG332PZ
Artikelnummer FDG361N FDG330P FDG410NZ FDG332PZ
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Grundproduktnummer FDG361 - FDG410 FDG332
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 153 pF @ 50 V 477 pF @ 6 V 535 pF @ 10 V 560 pF @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V - 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 600mA (Ta) 2A (Ta) 2.2A (Ta) 2.6A (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±8V ±8V ±8V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 12 V 20 V 20 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 600mA, 10V 110mOhm @ 2A, 4.5V 70mOhm @ 2.2A, 4.5V 95mOhm @ 2.6A, 4.5V
Verlustleistung (max) 420mW (Ta) 480mW (Ta) 420mW (Ta) 750mW (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 10 V 7 nC @ 4.5 V 7.2 nC @ 4.5 V 10.8 nC @ 4.5 V
Supplier Device-Gehäuse SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6)
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

FDG361N Datenblatt PDF

Laden Sie FDG361N PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDG361N - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mold Compound 12/Dec/2007.pdf Mold Compound 07/May/2008.pdf
Datenblätter
FDG361N.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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