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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDG6301N
FDG6301N Image
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FDG6301N - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDG6301N
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDG6301N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
FDG6301N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 271190

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Anzahl

Spezifikation

FDG6301N Tech -Spezifikationen
onsemi - FDG6301N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDG6301N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88 (SC-70-6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V  
Leistung - max 300mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 220mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDG6301  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDG6301N.

Produkteigenschaften FDG6301N FDG6301N-F085P FDG6302P FDG6301N-F085
Artikelnummer FDG6301N FDG6301N-F085P FDG6302P FDG6301N-F085
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V 0.4nC @ 4.5V 0.31nC @ 4.5V 0.4nC @ 4.5V
Grundproduktnummer FDG6301 FDG6301 FDG6302 FDG6301
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V 25V 25V 25V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Supplier Device-Gehäuse SC-88 (SC-70-6) SC-70-6 SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6)
Serie - Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V 4Ohm @ 220mA, 4.5V 10Ohm @ 140mA, 4.5V 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Leistung - max 300mW 300mW 300mW 300mW
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V 9.5pF @ 10V 12pF @ 10V 9.5pF @ 10V
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 220mA 220mA (Ta) 140mA 220mA

FDG6301N Datenblatt PDF

Laden Sie FDG6301N PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDG6301N - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf 2N7002x/BSSx/FDGx/FDVx/NDS06x 10/May/2022.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Multi Dev 20/Sep/2022.pdf
Datenblätter
FDG6301N.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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